IMMPATT二級管Sub_THz發(fā)射器
IMPATT Diode（碰撞雪崩渡越時間二極管）是一種高功率亞THz波段THz發(fā)射源。IMPATT二極管可以在3-400GHz范圍內(nèi)單頻，室溫運行，體積小而功率高。
技術(shù)參數(shù)：
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型 號 |
IMPATT Diode 100GHz |
IMPATT Diode 140GHz |
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出廠優(yōu)化優(yōu)化波長 |
100 GHz |
140 GHz |
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功率 |
80 mW |
30 mW |
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線寬 |
1 MHz |
1 MHz |
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TTL調(diào)制輸出頻率 |
1μs 上升/下降時間 |
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特點:
80-110GHz頻率范圍
輸出功率10mW
線寬窄至1MHz
1μs上升和下降時間的TTL調(diào)制模式可選
體積緊湊，低成本
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關(guān)于美國TeraSense公司
Terasense Group Inc. 是創(chuàng)新便攜式太赫茲 (THz) 成像系統(tǒng)、太赫茲成像相機、太赫茲源和太赫茲探測器的領先制造商。我們的產(chǎn)品平衡在科技突破的前沿，并具有多項競爭優(yōu)勢。Terasense 是一家專注于研究的公司，致力于持續(xù)改進的理念。我們采用獨創(chuàng)的專利保護技術(shù)制造用于成像傳感器陣列（相機）的新型半導體探測器，有效覆蓋亞太赫茲和太赫茲范圍的電磁頻譜（50 GHz - 700 GHz）。
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